Badanie kinetyki wzrostu heterostruktur In_y Ga_1-y As_1-x N_x /GaAs przeznaczonych do konstrukcji przyrządów optoelektronicznych

Widok

Metadane zasobu

Tytuł	Badanie kinetyki wzrostu heterostruktur In_y Ga_1-y As_1-x N_x /GaAs przeznaczonych do konstrukcji przyrządów optoelektronicznych
Osoby	Autorzy: Damian Pucicki Partner: Politechnika Wrocławska
Opis	Tematem niniejszej rozprawy doktorskiej jest: „Badanie kinetyki wzrostu heterostruktur In_y Ga_1-y As_1-x N_x /GaAs przeznaczonych do konstrukcji przyrządów optoelektronicznych.” Przy wyborze tematu pracy kierowano się nie tylko potrzebą wyjaśnienia wpływu azotu i jego zawartości na właściwości warstw epitaksjalnych, ale przede wszystkim koniecznością poszerzenia zakresu badań prowadzonych w Laboratorium Nanotechnologii i Struktur Półprzewodnikowych oraz potrzebą zdobycia doświadczenia technologicznego w zakresie krystalizacji półprzewodnikowych roztworów stałych, zawierających azot, techniką MOVPE (ang. MetalOrganic Vapour Phase Epitaxy) przy ciśnieniu atmosferycznym. (Polski) Uwagi: Praca doktorska.
Słowa kluczowe	"związki półprzewodnikowe"@pl, "heteroepitaksja"@pl, "osadzanie"@pl, "AP-MOVPE"@pl, "struktury niskowymiarowe"@pl, "przyrządy optoelektroniczne"@pl, "rozcieńczone azotki"@pl
Klasyfikacja	Typ zasobu: praca dyplomowa Dyscyplina naukowa: dziedzina nauk technicznych / elektronika (2011) Grupa docelowa: naukowcy, studenci Szkodliwe treści: Nie
Charakterystyka	Miejsce powstania: Wrocław Czas powstania: 2006 Liczba stron: 209 Promotor: Marek Tłaczała Język zasobu: Polski Identyfikatory: OAI: 1440
Linki zewnętrzne	Dolnośląska Biblioteka Cyfrowa
Licencja	ID-NC-ND
Informacje techniczne	Deponujący: Olga Schabowicz Data udostępnienia: 01-08-2018
Kolekcje	Kolekcja Politechniki Wrocławskiej, Kolekcja e-Biblio PWr

Cytowanie

Skopiowano

Damian Pucicki. Badanie kinetyki wzrostu heterostruktur In_y Ga_1-y As_1-x N_x /GaAs przeznaczonych do konstrukcji przyrządów optoelektronicznych. [praca dyplomowa] Dostępny w Atlasie Zasobów Otwartej Nauki, . Licencja: ID-NC-ND, https://azon.e-science.pl/licencje/ID-NC-ND_PWr.pdf. Data dostępu: DD.MM.RRRR.

Podobne zasoby

Laboratorium Fotoniki: Światłowody

Damian Pucicki, Katarzyna Bielak, materiał dydaktyczny, Politechnika Wrocławska, dziedzina nauk technicznych / elektronika (2011)

Technology and properties of low-pressure metalorganic vapour phase epitaxy grown InGaAs/AlInAs superlattice for quantum cascade laser applications

Mikołaj Badura, Katarzyna Bielak, Beata Ściana, Damian Radziewicz, Damian Pucicki, Wojciech Dawidowski, Karolina Żelazna, Robert Kudrawiec, Marek Tłaczała, artykuł, rozdział, Politechnika Wrocławska, Dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych / nauki fizyczne (2018)

Laboratorium Fotoniki: Teoria barwy

Damian Pucicki, materiał dydaktyczny, Politechnika Wrocławska, dziedzina nauk technicznych / elektronika (2011)

Laboratorium Miernictwa Elementów Optoelektronicznych: Teoria barw - dyspersja

Damian Pucicki, Katarzyna Bielak, materiał dydaktyczny, Politechnika Wrocławska, dziedzina nauk technicznych / elektronika (2011)

Zobacz więcej